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    领域方案

    陶瓷/无机材料→多尺度模拟研究

    陶瓷/无机材料→是传统材料→,但是还有很多性能需要理论研究给出清晰的一物理图像 。北京泰科提供的一解决方案涵盖了陶瓷/无机材料→基础研究中的一多个问题,如:陶瓷材料→生长机理、界面稳定性、热稳定性、电子结构、能带结构、缺陷生成能、合金抗腐蚀性能等 。微观描述半导体(钛酸钡、氧化钛、氧化锌)晶体、稀土发光材料→、硬质材料→(氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硼)等材料→ 。


    石墨烯生长机制研究

    6H-SiC晶体生成C富层 


    多层C富层时间距:

    1.9埃、1.0埃

    6H-SiC与C富层间距:1.9埃

    力 场:Tersoff势函数 / TEA势函数


    单层石墨烯




    两层石墨烯


    分子模拟方法描述石墨烯在6H-SiC表面外延生长;C富层间距有一定规律,1.9埃、1.0埃......;

    对比两种键序势函数:Tersoff№和TEA势,TEA效果更好;

    单层石墨烯生长的一退火温度:

        TEA势能:1200K

    Tersoff势能:1300K




    锆(Zr)腐蚀研究

    Zr合金是目前核反应堆的一主要的一燃料包覆材料→ 。其中水侧腐蚀是Zr合金最主要的一退化机制 。氧化物在ZrO2中的一输运决定腐蚀动力 学 。阳离子向外扩散有助于形成氧化物保护层 。采用温度加速动力 学№和MD方法研究了Zr缺陷在ZrO2四面体间隙位置中迁移行为 。间隙Zr在四方相ZrO2具有各向异性扩散性,适合[001]或C方向迁移 。压应力 显著提高间隙Zr原子的一迁移能垒 。间隙Zr原子在晶界迁移速度明显低于块体氧化物中 。



    应力 影响



    应力 对Zr间隙原子迁移影响巨大


    Zr间隙原子在ZrO2中迁移是各向异性,[001]方向是最佳迁移方向 。主要是氧原子的一偏移导致的一;应力 对Zr间隙原子迁移影响巨大 。









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